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          技術介紹
           

                磷化銦、銻化銦等化合物半導體材料需使用6N以上的超高純銦,目前世界上各生產廠家主要采取化學提純和物理提純相結合的聯合工藝,包括真空蒸餾法、電解精煉法、定向凝固法、區域熔煉法、熔鹽電解精煉法等。主流工藝則是采用鋅或者鋁置換獲得粗銦,粗銦通過電解精煉得到4N精銦,然后以真空蒸餾或者區域熔煉方法得到≥6N超高純銦。 這種工藝不可避免的具有能耗高,設備投資大,生產效率低的特點。


           
                傳統電化學精煉方法中面臨的問題是Sn、Tl、Cd等的電化學電位與In比較接近,去除效果不理想,即使經過二次電解也難以達到超高純銦的要求。

           
              我公司通過創新電解體系,研發了電解液特效凈化專利技術,解決了傳統電解精煉方法中Cd、 Sn、 Tl等雜質離子的去除難題,通過高效電解實現了≥6N超高純銦的低成本連續生產。


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